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ASEMI半导体肖特基二极管MBR1060CT

文章出处：鼎芯科技文章编辑：李航人气：-发表时间：2015-11-06 00:00:00【大中小】

摘要 : 肖特基二极管其不同于传统的PN结结构的二极管，而是采用金属—半导体结构，这种结构可以大大减少二极管的压降，我们以MBR1060CT为例来介绍一下，首先我们先看一下它的参数和封装，然后我们说明一下它芯片的优势

ASEMI半导体肖特基二极管MBR1060CT导读

肖特基二极管其不同于传统的PN结结构的二极管，而是采用金属—半导体结构，这种结构可以大大减少二极管的压降，我们以MBR1060CT为例来介绍一下，首先我们先看一下它的参数和封装，然后我们说明一下它芯片的优势：

ASEMI半导体MBR1060CT性能及优势

MBR1060CT正向整流10A，反应耐压60V，正向压降0.58V，其采用高性能扩散高抗冲击芯片，这种芯片性能稳定，高散热性，高抗冲击力，肖特基二极管采用无氧铜框架，导电性能好，散热性比高，采用密封黑胶，导热性能好，散热性好，ASEMI半导体拥有的生产设备，和完善的生产管控流程，全自动一体化生产线，从芯片生产到成品焊接，采用智能化产线，健鼎一体化测试设备保障出厂的产品的合格率。