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MBR10100CT,您值得拥有!【ASEMI半导体】

文章出处:鼎芯科技文章编辑:李绚人气:-发表时间:2017-02-15 00:00:00【
摘要 : MBR10100CT肖特基二极管采用的是高性能扩散高抗冲击的芯片材料,让芯片的性能更为优越,在稳定性,耐热性及抗冲力方面有更为出色,其无氧铜框架令产品的导电性能特别好

MBR10100CT肖特基二极管ASEMI品牌,它的芯片是采用86MIL的大芯片,电


压:100V;正向电压为0.79V,正向电流(Io)为10A,它的浪涌电流Ifsm


为1200A,漏电流(Ir)为5uA,盒装:1000Pcs/盒。



 

MBR10100CT肖特基二极管采用的高性能扩散高抗冲击的芯片材料,


让芯片的性能更为优越,在稳定性,耐热性及抗冲力方面有更为出色,其无氧


铜框架令产品的导电性能特别好,而塑封用的黑胶,气密性良好,导热


性优良,令产品工作时的散热性很好,以上优势使产品稳定的工作。



     

MBR10100CT肖特基二极管广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路,作高


频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用,或在微波通信等


电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。欢迎咨询 取样测试。



  

 

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